ULN2803APG,CN

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	ULN2803APG,CN
Manufacturer / Brand:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione di produttu	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
Schede tecniche:	ULN2803APG,CN.pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	5921 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5921 pcs

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Specificazioni di ULN2803APG,CN

Numero di parti	ULN2803APG,CN	Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	5921 pcs	Scheda tecnica	ULN2803APG,CN.pdf
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V	Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 500µA, 350mA
Tipo di transistor	8 NPN Darlington	Package per Dispositivi Fornitori	18-DIP
Serie	-	Potenza - Max	1.47W
Imballu	Tube	Pacchetto / Casu	18-DIP (0.300", 7.62mm)
Altri nomi	ULN2803APG ULN2803APG(5,M) ULN2803APG(CNHZN) ULN2803APG(CNHZN)-ND ULN2803APG(O,M) ULN2803APG(O,N,HZA ULN2803APG(O,N,HZN ULN2803APG(OM) ULN2803APG(OM)-ND ULN2803APG(ONHZA ULN2803APG(ONHZA-ND ULN2803APG(ONHZN ULN2803APG(ONHZN-ND ULN2803APG-ND ULN2803APGCN ULN2803APGONHZN	Temperatura Temperatura	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Through Hole	Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)
Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequency - Transition	-
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.47W Through Hole 18-DIP	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 350mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max)	-	Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
N ° Part Part Base	ULN280*A

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