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Toshiba lancia dui mosfetti di alimentazione N-channel 80V

I dispositi si dice chì sò adatti à l'applicazioni di energia induv'ella hè impurtante l'operazione di perdita, cumprese a cunversione ac-dc è dc-dc in centri di dati è stazioni di basi di cumunicazione è ancu à l'equipaggiu di u mutore. mosfets

E TPH2R408QM è TPN19008QM presentanu una riduzione di circa 40% in fucilità di scurazione in resistenza (RDS (ON)) in paragunà à i prudutti currispondenti di 80V in prucessi precedenti cum'è U-MOSVIII-H, Toshiba pretende.

U TPN19008QM hà un valore RDS (ON) di 19mΩ (max.) Mentre chì u valore TPH2R408QM hè 2,43mΩ.


A cumpagnia dice chì hà ottimizatu a struttura di u dispositivu, migliurà a scumparsa trà RDS (ON) è e caratteristiche di a carica di a porta finu à 15% è u scambiu trà RDS (ON) è a carica di a produzione di 31%.

I moschei sò allughjati in pacchetti muntanti nantu à a superficia è valutati per una tensione di scurazione di scossa di 80V.

Operanu à temperature di u canale finu à 175 ºC.

U TPN19008QM hè classificatu per una corrente di scuru di 34A è alloggiatu in un pacchettu TSON di 3,3 × 3,3 mm mentre u TPH2R408QM è classificatu per 120A è alloggiatu in un pacchettu SOP 5x6mm.