TK1K2A60F,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	TK1K2A60F,S4X
Manufacturer / Brand:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione di produttu	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Schede tecniche:	TK1K2A60F,S4X.pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	113830 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 113830 pcs

Prezzo di Riferimentu (In Dollari US)

1 pcs: $0.424

50 pcs: $0.34

100 pcs: $0.297

500 pcs: $0.231

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Specificazioni di TK1K2A60F,S4X

Numero di parti	TK1K2A60F,S4X	Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	113830 pcs	Scheda tecnica	TK1K2A60F,S4X.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 630µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnulugia	MOSFET (Metal Oxide)	Package per Dispositivi Fornitori	TO-220SIS
Serie	U-MOSIX	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 3A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max)	35W (Tc)	Imballu	Tube
Pacchetto / Casu	TO-220-3 Full Pack	Altri nomi	TK1K2A60F,S4X(S TK1K2A60FS4X TK1K2A60FS4X(S
Temperatura Temperatura	150°C	Tipo di montaggio	Through Hole
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	Not Applicable	Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds	740pF @ 300V	Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Tipu FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Scola per Tensione di Sorgente (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 6A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS	Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)

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Schede tecniche

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★ U tempu di cunsegna avarà bisognu di 2-4 ghjorni à a maiò parte di u paese in tuttu u mondu da DHL / UPS / FEDEX / TNT.

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