RN4904FE,LF(CB

Toshiba Semiconductor and Storage

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	RN4904FE,LF(CB
Manufacturer / Brand:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione di produttu	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Schede tecniche:	RN4904FE,LF(CB.pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	1334547 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1334547 pcs

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Specificazioni di RN4904FE,LF(CB

Numero di parti	RN4904FE,LF(CB	Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	1334547 pcs	Scheda tecnica	RN4904FE,LF(CB.pdf
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V	Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo di transistor	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Package per Dispositivi Fornitori	ES6
Serie	-	Resistor - Base Emitter (R2)	47 kOhms
Resistor - Base (R1)	47 kOhms	Potenza - Max	100mW
Imballu	Tape & Reel (TR)	Pacchetto / Casu	SOT-563, SOT-666
Altri nomi	RN4904FE(T5L,F,T) RN4904FE(T5LFT)TR RN4904FE(T5LFT)TR-ND RN4904FE,LF(CT RN4904FELF(CBTR RN4904FELF(CTTR RN4904FELF(CTTR-ND	Tipo di montaggio	Surface Mount
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Tempu Standard di Costruttore	16 Weeks
Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequency - Transition	250MHz, 200MHz
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA	Current - Collector (Ic) (Max)	100mA

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