RN1901,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	RN1901,LF(CT
Manufacturer / Brand:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione di produttu	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Schede tecniche:	RN1901,LF(CT.pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	1355843 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1355843 pcs

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Specificazioni di RN1901,LF(CT

Numero di parti	RN1901,LF(CT	Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	1355843 pcs	Scheda tecnica	RN1901,LF(CT.pdf
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V	Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo di transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	Package per Dispositivi Fornitori	US6
Serie	-	Resistor - Base Emitter (R2)	1 kOhms
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms	Potenza - Max	200mW
Imballu	Tape & Reel (TR)	Pacchetto / Casu	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Altri nomi	RN1901(T5L,F,T) RN1901(T5LFT)TR RN1901(T5LFT)TR-ND RN1901,LF(CB RN1901LF(CTTR	Tipo di montaggio	Surface Mount
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Tempu Standard di Costruttore	10 Weeks
Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequency - Transition	250MHz
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Current - Collector (Ic) (Max)	100mA

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