MT3S113P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	MT3S113P(TE12L,F)
Manufacturer / Brand:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione di produttu	RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Schede tecniche:	MT3S113P(TE12L,F).pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	163271 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 163271 pcs

Prezzo di Riferimentu (In Dollari US)

1000 pcs: $0.155

2000 pcs: $0.145

5000 pcs: $0.137

10000 pcs: $0.132

25000 pcs: $0.128

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Specificazioni di MT3S113P(TE12L,F)

Numero di parti	MT3S113P(TE12L,F)	Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	163271 pcs	Scheda tecnica	MT3S113P(TE12L,F).pdf
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	5.3V	Tipo di transistor	NPN
Package per Dispositivi Fornitori	PW-MINI	Serie	-
Potenza - Max	1.6W	Imballu	Tape & Reel (TR)
Pacchetto / Casu	TO-243AA	Altri nomi	MT3S113P(TE12LF) MT3S113P(TE12LF)TR
Temperatura Temperatura	150°C (TJ)	Figura Rumana (dB Typ @ f)	1.45dB @ 1GHz
Tipo di montaggio	Surface Mount	Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)
Tempu Standard di Costruttore	12 Weeks	Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Guadagnà	10.5dB	Frequency - Transition	7.7GHz
Descrizione dettagliata	RF Transistor NPN 5.3V 100mA 7.7GHz 1.6W Surface Mount PW-MINI	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 30mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA

Spedizioni
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Schede tecniche

★ TRASPORTO GRATUITU VIA DHL / FEDEX / UPS SI AMMINATURA DI ORDINANZU ORA 1.000 USD.
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DHL	www.DHL.com	Da 35,00 $ i costi di spedizione di basa dipende da a zona è di u paese.
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