
| Numero di parti | PDTA113ZS,126 | Produttore | N/A |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 | Statu senza piombo / Status RoHS | Cumpite senza piombo / RoHS |
| Quantità dispunibile | 5633 pcs | Scheda tecnica | |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V | Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo di transistor | PNP - Pre-Biased | Package per Dispositivi Fornitori | TO-92-3 |
| Serie | - | Resistor - Base Emitter (R2) | 10 kOhms |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms | Potenza - Max | 500mW |
| Imballu | Tape & Box (TB) | Pacchetto / Casu | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Altri nomi | 934058782126 PDTA113ZS AMO PDTA113ZS AMO-ND |
Tipo di montaggio | Through Hole |
| Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL) | 1 (Unlimited) | Statu senza piombo / Status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3 | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 5V |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA | Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| N ° Part Part Base | PDTA113 |
| FEDEX | www.FedEx.com | Da 35,00 $ i costi di spedizione di basa dipende da a zona è di u paese. |
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