RRQ030P03TR

LAPIS Semiconductor

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	RRQ030P03TR
Manufacturer / Brand:	LAPIS Semiconductor
Descrizione di produttu	MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Schede tecniche:	RRQ030P03TR.pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	292546 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 292546 pcs

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Specificazioni di RRQ030P03TR

Numero di parti	RRQ030P03TR	Produttore	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	292546 pcs	Scheda tecnica	RRQ030P03TR.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnulugia	MOSFET (Metal Oxide)	Package per Dispositivi Fornitori	TSMT6 (SC-95)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 mOhm @ 3A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max)	600mW (Ta)	Imballu	Tape & Reel (TR)
Pacchetto / Casu	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Altri nomi	RRQ030P03MGTR
Temperatura Temperatura	150°C (TJ)	Tipo di montaggio	Surface Mount
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds	480pF @ 10V	Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Tipu FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Scola per Tensione di Sorgente (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	P-Channel 30V 3A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)	Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)

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