RQ3E150GNTB

LAPIS Semiconductor

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	RQ3E150GNTB
Manufacturer / Brand:	LAPIS Semiconductor
Descrizione di produttu	MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT
Schede tecniche:	1.RQ3E150GNTB.pdf 2.RQ3E150GNTB.pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	254241 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 254241 pcs

Prezzo di Riferimentu (In Dollari US)

1 pcs: $0.242

10 pcs: $0.203

100 pcs: $0.152

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Specificazioni di RQ3E150GNTB

Numero di parti	RQ3E150GNTB	Produttore	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	254241 pcs	Scheda tecnica	1.RQ3E150GNTB.pdf 2.RQ3E150GNTB.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnulugia	MOSFET (Metal Oxide)	Package per Dispositivi Fornitori	8-HSMT (3.2x3)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.1 mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max)	2W (Ta), 17.2W (Tc)	Imballu	Cut Tape (CT)
Pacchetto / Casu	8-PowerVDFN	Altri nomi	RQ3E150GNTBCT
Temperatura Temperatura	150°C (TJ)	Tipo di montaggio	Surface Mount
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Tempu Standard di Costruttore	40 Weeks
Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 15V
Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs	15.3nC @ 10V	Tipu FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Scola per Tensione di Sorgente (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 15A (Ta) 2W (Ta), 17.2W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C	15A (Ta)

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Schede tecniche

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