R6007KNJTL

LAPIS Semiconductor

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Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	R6007KNJTL
Manufacturer / Brand:	LAPIS Semiconductor
Descrizione di produttu	MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263
Schede tecniche:	1.R6007KNJTL.pdf 2.R6007KNJTL.pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	66000 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66000 pcs

Prezzo di Riferimentu (In Dollari US)

1000 pcs: $0.337

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Specificazioni di R6007KNJTL

Numero di parti	R6007KNJTL	Produttore	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	66000 pcs	Scheda tecnica	1.R6007KNJTL.pdf 2.R6007KNJTL.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnulugia	MOSFET (Metal Oxide)	Package per Dispositivi Fornitori	TO-263
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	620 mOhm @ 2.4A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max)	78W (Tc)	Imballu	Tape & Reel (TR)
Pacchetto / Casu	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	R6007KNJTLTR
Temperatura Temperatura	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo di montaggio	Surface Mount
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Tempu Standard di Costruttore	17 Weeks
Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds	470pF @ 25V
Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs	14.5nC @ 10V	Tipu FET	N-Channel
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Scola per Tensione di Sorgente (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-263
Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C	7A (Tc)

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