QS8K13TCR

LAPIS Semiconductor

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	QS8K13TCR
Manufacturer / Brand:	LAPIS Semiconductor
Descrizione di produttu	MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
Schede tecniche:	1.QS8K13TCR.pdf 2.QS8K13TCR.pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	118108 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 118108 pcs

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Specificazioni di QS8K13TCR

Numero di parti	QS8K13TCR	Produttore	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	118108 pcs	Scheda tecnica	1.QS8K13TCR.pdf 2.QS8K13TCR.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Package per Dispositivi Fornitori	TSMT8
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 6A, 10V
Potenza - Max	550mW	Imballu	Tape & Reel (TR)
Pacchetto / Casu	8-SMD, Flat Lead	Altri nomi	QS8K13TCRTR
Temperatura Temperatura	150°C (TJ)	Tipo di montaggio	Surface Mount
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds	390pF @ 10V	Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Tipu FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Standard
Scola per Tensione di Sorgente (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 550mW Surface Mount TSMT8
Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C	6A

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