EML20T2R

LAPIS Semiconductor

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Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	EML20T2R
Manufacturer / Brand:	LAPIS Semiconductor
Descrizione di produttu	TRANS PREBIAS NPN 0.15W
Schede tecniche:	EML20T2R.pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	519935 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 519935 pcs

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Specificazioni di EML20T2R

Numero di parti	EML20T2R	Produttore	LAPIS Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 0.15W	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	519935 pcs	Scheda tecnica	EML20T2R.pdf
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V	Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo di transistor	NPN - Pre-Biased + Diode	Package per Dispositivi Fornitori	EMT6
Serie	-	Resistor - Base Emitter (R2)	47 kOhms
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms	Potenza - Max	150mW
Imballu	Tape & Reel (TR)	Pacchetto / Casu	SOT-563, SOT-666
Tipo di montaggio	Surface Mount	Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)
Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequency - Transition	250MHz
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA	Current - Collector (Ic) (Max)	100mA

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