SI4818DY-T1-E3

Electro-Films (EFI) / Vishay

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	SI4818DY-T1-E3
Manufacturer / Brand:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione di produttu	MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Schede tecniche:	SI4818DY-T1-E3.pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	5826 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5826 pcs

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Specificazioni di SI4818DY-T1-E3

Numero di parti	SI4818DY-T1-E3	Produttore	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	5826 pcs	Scheda tecnica	SI4818DY-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA (Min)	Package per Dispositivi Fornitori	8-SO
Serie	LITTLE FOOT®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 6.3A, 10V
Potenza - Max	1W, 1.25W	Imballu	Tape & Reel (TR)
Pacchetto / Casu	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Temperatura Temperatura	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount	Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)
Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds	-
Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 5V	Tipu FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate	Scola per Tensione di Sorgente (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.3A, 7A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SO	Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C	5.3A, 7A

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