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Electro-Films (EFI) / Vishay
| Numero di parti | SI4477DY-T1-GE3 | Produttore | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-SOIC | Statu senza piombo / Status RoHS | Cumpite senza piombo / RoHS |
| Quantità dispunibile | 93710 pcs | Scheda tecnica | SI4477DY-T1-GE3.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±12V |
| Tecnulugia | MOSFET (Metal Oxide) | Package per Dispositivi Fornitori | 8-SO |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 18A, 4.5V |
| Dissipazione di Potenza (Max) | 3W (Ta), 6.6W (Tc) | Imballu | Tape & Reel (TR) |
| Pacchetto / Casu | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Altri nomi | SI4477DY-T1-GE3-ND SI4477DY-T1-GE3TR SI4477DYT1GE3 |
| Temperatura Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL) | 1 (Unlimited) | Statu senza piombo / Status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 10V | Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs | 190nC @ 10V |
| Tipu FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V | Scola per Tensione di Sorgente (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 26.6A (Tc) 3W (Ta), 6.6W (Tc) Surface Mount 8-SO | Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C | 26.6A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Da 35,00 $ i costi di spedizione di basa dipende da a zona è di u paese. |
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| DHL | www.DHL.com | Da 35,00 $ i costi di spedizione di basa dipende da a zona è di u paese. |
| UPS | www.UPS.com | Da 35,00 $ i costi di spedizione di basa dipende da a zona è di u paese. |
| TNT | www.TNT.com | Da 35,00 $ i costi di spedizione di basa dipende da a zona è di u paese. |
