ALD1101BPAL

Advanced Linear Devices, Inc.

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	ALD1101BPAL
Manufacturer / Brand:	Advanced Linear Devices, Inc.
Descrizione di produttu	MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Schede tecniche:	ALD1101BPAL.pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	18471 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 18471 pcs

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Specificazioni di ALD1101BPAL

Numero di parti	ALD1101BPAL	Produttore	Advanced Linear Devices, Inc.
Descrizione	MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	18471 pcs	Scheda tecnica	ALD1101BPAL.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 10µA	Package per Dispositivi Fornitori	8-PDIP
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	75 Ohm @ 5V
Potenza - Max	500mW	Imballu	Tube
Pacchetto / Casu	8-DIP (0.300", 7.62mm)	Temperatura Temperatura	0°C ~ 70°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole	Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)
Tempu Standard di Costruttore	8 Weeks	Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds	-	Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs	-
Tipu FET	2 N-Channel (Dual) Matched Pair	Caratteristica FET	Standard
Scola per Tensione di Sorgente (Vdss)	10.6V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C	-

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