NTMFS4C027NT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	NTMFS4C027NT1G
Manufacturer / Brand:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione di produttu	MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN
Schede tecniche:	NTMFS4C027NT1G.pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	175560 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 175560 pcs

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Specificazioni di NTMFS4C027NT1G

Numero di parti	NTMFS4C027NT1G	Produttore	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	175560 pcs	Scheda tecnica	NTMFS4C027NT1G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnulugia	MOSFET (Metal Oxide)	Package per Dispositivi Fornitori	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8 mOhm @ 18A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max)	2.51W (Ta), 25.5W (Tc)	Imballu	Tape & Reel (TR)
Pacchetto / Casu	8-PowerTDFN, 5 Leads	Temperatura Temperatura	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount	Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)
Tempu Standard di Costruttore	42 Weeks	Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds	1670pF @ 15V	Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs	18.2nC @ 10V
Tipu FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Scola per Tensione di Sorgente (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 16.4A (Ta), 52A (Tc) 2.51W (Ta), 25.5W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)	Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C	16.4A (Ta), 52A (Tc)

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