MUN5230DW1T1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	MUN5230DW1T1
Manufacturer / Brand:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione di produttu	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Schede tecniche:	MUN5230DW1T1.pdf
Status RoHs	Cume u principiu / RoHS non conforme
Accussione di a Riserva	5275 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5275 pcs

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Specificazioni di MUN5230DW1T1

Numero di parti	MUN5230DW1T1	Produttore	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363	Statu senza piombo / Status RoHS	Cume u principiu / RoHS non conforme
Quantità dispunibile	5275 pcs	Scheda tecnica	MUN5230DW1T1.pdf
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V	Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 5mA, 10mA
Tipo di transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	Package per Dispositivi Fornitori	SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie	-	Resistor - Base Emitter (R2)	1 kOhms
Resistor - Base (R1)	1 kOhms	Potenza - Max	250mW
Imballu	Tape & Reel (TR)	Pacchetto / Casu	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo di montaggio	Surface Mount	Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)
Statu senza piombo / Status RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Frequency - Transition	-
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	3 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA	Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
N ° Part Part Base	MUN52**DW1T

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