MTP23P06VG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	MTP23P06VG
Manufacturer / Brand:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione di produttu	MOSFET P-CH 60V 23A TO220AB
Schede tecniche:	MTP23P06VG.pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	5548 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5548 pcs

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Specificazioni di MTP23P06VG

Numero di parti	MTP23P06VG	Produttore	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 23A TO220AB	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	5548 pcs	Scheda tecnica	MTP23P06VG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±15V
Tecnulugia	MOSFET (Metal Oxide)	Package per Dispositivi Fornitori	TO-220AB
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 11.5A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max)	90W (Tc)	Imballu	Tube
Pacchetto / Casu	TO-220-3	Altri nomi	MTP23P06VGOS
Temperatura Temperatura	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo di montaggio	Through Hole
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds	1620pF @ 25V	Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Tipu FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Scola per Tensione di Sorgente (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	P-Channel 60V 23A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220AB	Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C	23A (Tc)

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