MJ11030

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	MJ11030
Manufacturer / Brand:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione di produttu	TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3
Schede tecniche:	MJ11030.pdf
Status RoHs	Cume u principiu / RoHS non conforme
Accussione di a Riserva	4808 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4808 pcs

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Specificazioni di MJ11030

Numero di parti	MJ11030	Produttore	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3	Statu senza piombo / Status RoHS	Cume u principiu / RoHS non conforme
Quantità dispunibile	4808 pcs	Scheda tecnica	MJ11030.pdf
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	90V	Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic	3.5V @ 500mA, 50A
Tipo di transistor	NPN - Darlington	Package per Dispositivi Fornitori	TO-3
Serie	-	Potenza - Max	300W
Imballu	Tray	Pacchetto / Casu	TO-204AE
Temperatura Temperatura	-55°C ~ 200°C (TJ)	Tipo di montaggio	Through Hole
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Statu senza piombo / Status RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Frequency - Transition	-	Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 90V 50A 300W Through Hole TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 25A, 5V	Current - Collector Cutoff (Max)	2mA
Current - Collector (Ic) (Max)	50A

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