IRFR120_R4941

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	IRFR120_R4941
Manufacturer / Brand:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione di produttu	MOSFET N-CH 100V 8.4A TO-252AA
Schede tecniche:	IRFR120_R4941.pdf
Status RoHs	Cume u principiu / RoHS non conforme
Accussione di a Riserva	4771 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4771 pcs

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Specificazioni di IRFR120_R4941

Numero di parti	IRFR120_R4941	Produttore	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 8.4A TO-252AA	Statu senza piombo / Status RoHS	Cume u principiu / RoHS non conforme
Quantità dispunibile	4771 pcs	Scheda tecnica	IRFR120_R4941.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnulugia	MOSFET (Metal Oxide)	Package per Dispositivi Fornitori	TO-252AA
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 5.9A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max)	50W (Tc)	Imballu	Tube
Pacchetto / Casu	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	IRFR120_R4941-ND IRFR120FS
Temperatura Temperatura	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo di montaggio	Surface Mount
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Statu senza piombo / Status RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 25V	Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Tipu FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Scola per Tensione di Sorgente (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 8.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA	Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C	8.4A (Tc)

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