FQA5N90

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	FQA5N90
Manufacturer / Brand:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione di produttu	MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P
Schede tecniche:	FQA5N90.pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	5280 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5280 pcs

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Specificazioni di FQA5N90

Numero di parti	FQA5N90	Produttore	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	5280 pcs	Scheda tecnica	FQA5N90.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnulugia	MOSFET (Metal Oxide)	Package per Dispositivi Fornitori	TO-3P
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 Ohm @ 2.9A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max)	185W (Tc)	Imballu	Tube
Pacchetto / Casu	TO-3P-3, SC-65-3	Temperatura Temperatura	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole	Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)
Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds	1550pF @ 25V
Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V	Tipu FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Scola per Tensione di Sorgente (Vdss)	900V	Descrizione dettagliata	N-Channel 900V 5.8A (Tc) 185W (Tc) Through Hole TO-3P
Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C	5.8A (Tc)

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