FDP16N50

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	FDP16N50
Manufacturer / Brand:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione di produttu	MOSFET N-CH 500V 16A TO-220
Schede tecniche:	1.FDP16N50.pdf 2.FDP16N50.pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	5472 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5472 pcs

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Specificazioni di FDP16N50

Numero di parti	FDP16N50	Produttore	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 16A TO-220	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	5472 pcs	Scheda tecnica	1.FDP16N50.pdf 2.FDP16N50.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnulugia	MOSFET (Metal Oxide)	Package per Dispositivi Fornitori	TO-220-3
Serie	UniFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 8A, 10V
Dissipazione di Potenza (Max)	200W (Tc)	Imballu	Tube
Pacchetto / Casu	TO-220-3	Temperatura Temperatura	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole	Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)
Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds	1945pF @ 25V
Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V	Tipu FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Scola per Tensione di Sorgente (Vdss)	500V	Descrizione dettagliata	N-Channel 500V 16A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C	16A (Tc)

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: FDP18N50; Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor; Descrizione: MOSFET N-CH 500V 18A TO-220; In magazinu: 74470 pcs; Scaricà: FDP18N50.pdf; RFQ

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