FDMB506P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	FDMB506P
Manufacturer / Brand:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione di produttu	MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET
Schede tecniche:	FDMB506P.pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	5769 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5769 pcs

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Specificazioni di FDMB506P

Numero di parti	FDMB506P	Produttore	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MICROFET	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	5769 pcs	Scheda tecnica	FDMB506P.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnulugia	MOSFET (Metal Oxide)	Package per Dispositivi Fornitori	8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Dissipazione di Potenza (Max)	1.9W (Ta)	Imballu	Tape & Reel (TR)
Pacchetto / Casu	8-PowerWDFN	Temperatura Temperatura	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount	Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)
Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds	2960pF @ 10V
Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 4.5V	Tipu FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Scola per Tensione di Sorgente (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	P-Channel 20V 6.8A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C	6.8A (Ta)

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