FDC6302P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	FDC6302P
Manufacturer / Brand:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione di produttu	MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6
Schede tecniche:	FDC6302P.pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	265041 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 265041 pcs

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Specificazioni di FDC6302P

Numero di parti	FDC6302P	Produttore	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2P-CH 25V 0.12A SSOT6	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	265041 pcs	Scheda tecnica	FDC6302P.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Package per Dispositivi Fornitori	SuperSOT™-6
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 Ohm @ 200mA, 4.5V
Potenza - Max	700mW	Imballu	Tape & Reel (TR)
Pacchetto / Casu	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Altri nomi	FDC6302P-ND FDC6302PTR
Temperatura Temperatura	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo di montaggio	Surface Mount
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Tempu Standard di Costruttore	42 Weeks
Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds	11pF @ 10V
Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs	0.31nC @ 4.5V	Tipu FET	2 P-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate	Scola per Tensione di Sorgente (Vdss)	25V
Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 120mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6	Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C	120mA

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