BS170-D26Z

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	BS170-D26Z
Manufacturer / Brand:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione di produttu	MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
Schede tecniche:	BS170-D26Z.pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	686862 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 686862 pcs

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Specificazioni di BS170-D26Z

Numero di parti	BS170-D26Z	Produttore	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	686862 pcs	Scheda tecnica	BS170-D26Z.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnulugia	MOSFET (Metal Oxide)	Package per Dispositivi Fornitori	TO-92-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 200mA, 10V
Dissipazione di Potenza (Max)	830mW (Ta)	Imballu	Tape & Reel (TR)
Pacchetto / Casu	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	Altri nomi	BS170-D26ZTR BS170_D26Z BS170_D26Z-ND BS170_D26ZTR BS170_D26ZTR-ND BS170D26Z
Temperatura Temperatura	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo di montaggio	Through Hole
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Tempu Standard di Costruttore	6 Weeks
Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds	40pF @ 10V
Tipu FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Scola per Tensione di Sorgente (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3	Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C	500mA (Ta)
N ° Part Part Base	BS170

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Schede tecniche

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