BD537J

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	BD537J
Manufacturer / Brand:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione di produttu	TRANS NPN 80V 8A TO-220
Schede tecniche:	1.BD537J.pdf 2.BD537J.pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	4902 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4902 pcs

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Specificazioni di BD537J

Numero di parti	BD537J	Produttore	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN 80V 8A TO-220	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	4902 pcs	Scheda tecnica	1.BD537J.pdf 2.BD537J.pdf
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V	Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic	800mV @ 200mA, 2A
Tipo di transistor	NPN	Package per Dispositivi Fornitori	TO-220
Serie	-	Potenza - Max	50W
Imballu	Bulk	Pacchetto / Casu	TO-220-3
Temperatura Temperatura	150°C (TJ)	Tipo di montaggio	Through Hole
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequency - Transition	12MHz	Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 12MHz 50W Through Hole TO-220
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 2A, 2V	Current - Collector Cutoff (Max)	100µA
Current - Collector (Ic) (Max)	8A	N ° Part Part Base	BD537

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