UPA2825T1S-E2-AT

Renesas Electronics America

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	UPA2825T1S-E2-AT
Manufacturer / Brand:	Renesas Electronics America
Descrizione di produttu	MOSFET N-CH 30V 8HVSON
Schede tecniche:	UPA2825T1S-E2-AT.pdf
Status RoHs	Cumpite senza piombo / RoHS
Accussione di a Riserva	125806 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 125806 pcs

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Specificazioni di UPA2825T1S-E2-AT

Numero di parti	UPA2825T1S-E2-AT	Produttore	Renesas Electronics America
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 8HVSON	Statu senza piombo / Status RoHS	Cumpite senza piombo / RoHS
Quantità dispunibile	125806 pcs	Scheda tecnica	UPA2825T1S-E2-AT.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	±20V
Tecnulugia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 24A, 10V	Dissipazione di Potenza (Max)	1.5W (Ta), 16.5W (Tc)
Imballu	Tape & Reel (TR)	Pacchetto / Casu	8-PowerWDFN
Temperatura Temperatura	150°C (TJ)	Tipo di montaggio	Surface Mount
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Statu senza piombo / Status RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitanza di Input (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 10V	Cunta di u Porta (Qg) (Max) @ Vgs	57nC @ 10V
Tipu FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Scola per Tensione di Sorgente (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 24A (Tc) 1.5W (Ta), 16.5W (Tc) Surface Mount	Current - Drenu Continuu (Id) @ 25 ° C	24A (Tc)

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