1N5408

ON Semiconductor

L'imaghjini pò esse ripresentazione. Vede e specificazioni per i dettagli di u produttu.

Panoramica di u pruduttu

Numero di parti:	1N5408
Manufacturer / Brand:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione di produttu	DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Schede tecniche:	1N5408.pdf
Status RoHs	Cume u principiu / RoHS non conforme
Accussione di a Riserva	4717 pcs stock
Nave Da	Hong Kong
Modu di Spedizioni	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4717 pcs

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Specificazioni di 1N5408

Numero di parti	1N5408	Produttore	ON Semiconductor
Descrizione	DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD	Statu senza piombo / Status RoHS	Cume u principiu / RoHS non conforme
Quantità dispunibile	4717 pcs	Scheda tecnica	1N5408.pdf
Voltage - Peak Reverse (Max)	Standard	Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	3A
Tensione - Ripartizione	DO-201AD	Serie	-
Status RoHS	Bulk	Tempo di recuperu inversu (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistenza @ If, F	-	Polarization	DO-201AA, DO-27, Axial
Altri nomi	1N5408OS	Tipo di montaggio	Through Hole
Livellu di sensibilità à l'umidità (MSL)	1 (Unlimited)	Numero di parte di u fabbricante	1N5408
Descrizione Spiegata	Diode Standard 1000V (1kV) 3A Through Hole DO-201AD	Configurazione diode	10µA @ 1000V
Descrizione	DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD	Current - Reverse Leakage @ Vr	1V @ 3A
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	1000V (1kV)	Capacitanza @ Vr, F	-65°C ~ 170°C

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: 1N5408-E3/54; Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay; Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD; In magazinu: 518666 pcs; Scaricà: 1N5408-E3/54.pdf; RFQ

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